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型号： QS5K2TR复制
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描述：
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
参数：
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|
fet 类型：2 N 沟道（双）共源
fet 功能：逻辑电平门
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功率 - 最大值：1.25W
|
外壳：
封装：TSMT5
料号：JTG10-65
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QS5K2TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
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型号： QS6M3TR复制
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描述：
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
参数：
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fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V，20V
电流 - 连续漏极（id）：1.5A
功率 - 最大值：1.25W
|
丝印：
外壳：
封装：TSMT6
料号：JTG10-67
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QS6M3TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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型号： US6M2TR复制
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描述：
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
参数：
*fet 类型:2 N 沟道（双）共源 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:230 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：30V，20V
电流 - 连续漏极（id）：1.5A，1A
功率 - 最大值：1W
|
丝印：
外壳：
封装：TUMT6
料号：JTG10-90
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'US6M2TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
|
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描述：
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39
参数：
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料号：JTG10-3655
包装：
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描述：
SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
参数：
*fet 类型:2 N 沟道（双）共源 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:230 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:81nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3320pF @ 15V *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：2 N-通道（双）
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描述：
SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO
参数：
*fet 类型:2 N 沟道（双）共源 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:230 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:81nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3320pF @ 15V *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65mOhm @ 4.5A，10V，70mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC，40nC @ 5V，10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF，2500pF @ 10V *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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描述：
HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND
参数：
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料号：JTG10-3651
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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可供数量:咨询
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型号： SH8K37GZETB复制
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描述：
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K37G
参数：
*fet 类型:2 N 沟道（双）共源 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:230 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:81nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3320pF @ 15V *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65mOhm @ 4.5A，10V，70mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC，40nC @ 5V，10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF，2500pF @ 10V *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *功率 - 最大值:3W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46mOhm @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：2 N-通道（双）
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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咨询客服
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型号： VT6M1T2CR复制
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包装：
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描述：
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
参数：
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fet 类型：2 N-通道（双）
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描述：
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
参数：
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描述：
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
参数：
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描述：
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
参数：
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fet 类型：2 N-通道（双）
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型号： EM6K1T2R复制
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描述：
MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
参数：
*fet 类型:2 N 沟道（双）共源 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:230 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:81nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3320pF @ 15V *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65mOhm @ 4.5A，10V，70mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC，40nC @ 5V，10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF，2500pF @ 10V *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *功率 - 最大值:3W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46mOhm @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7.1pF @ 10V *功率 - 最大值:120mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，0.9V 驱动 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 10V *功率 - 最大值:120mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V *功率 - 最大值:120mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:300mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 欧姆 @ 300mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
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丝印：
外壳：
封装：EMT6
料号：JTG10-252
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EM6K1T2R' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： EM6M2T2R复制
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描述：
MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
参数：
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fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
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型号： US6K4TR复制
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描述：
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
参数：
*fet 类型:2 N 沟道（双）共源 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:230 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:81nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3320pF @ 15V *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65mOhm @ 4.5A，10V，70mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC，40nC @ 5V，10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF，2500pF @ 10V *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *功率 - 最大值:3W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46mOhm @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7.1pF @ 10V *功率 - 最大值:120mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，0.9V 驱动 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 10V *功率 - 最大值:120mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V *功率 - 最大值:120mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:300mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 欧姆 @ 300mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 欧姆 @ 200mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:45V *电流 - 连续漏极（id）:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：1.5A
功率 - 最大值：1W
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丝印：
外壳：
封装：TUMT6
料号：JTG10-296
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'US6K4TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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型号： QS6J11TR复制
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MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
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型号： QS6K1TR复制
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描述：
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
参数：
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连续漏极（id）:15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:81nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3320pF @ 15V *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65mOhm @ 4.5A，10V，70mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC，40nC @ 5V，10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF，2500pF @ 10V *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *功率 - 最大值:3W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46mOhm @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7.1pF @ 10V *功率 - 最大值:120mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，0.9V 驱动 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 10V *功率 - 最大值:120mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V *功率 - 最大值:120mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:300mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 欧姆 @ 300mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 欧姆 @ 200mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:45V *电流 - 连续漏极（id）:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *功率 - 最大值:600mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：1A
功率 - 最大值：1.25W
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丝印：
外壳：
封装：TSMT6
料号：JTG10-300
包装：
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